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NTD14N03R, NVD14N03R
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
160
120
C iss
C rss
C iss
6
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
80
C oss
40
C rss
2
I D = 5 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 5 A
V GS = 10 V
t r
70
60
50
V GS = 0 V
40
10
t d(off)
30
t d(on)
t f
20
10
T J = 150 ° C
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
100
10
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
10 m s
100 m s
1
0.1
0 V < V GS < 20 V
Single Pulse
T A = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.1
Package Limit
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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